Забыли пароль?

ФОСФИД ИНДИЯ: ПРИМЕНЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ И ПОРИСТОЙ ФАЗ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

ФОСФИД ИНДИЯ: ПРИМЕНЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ И ПОРИСТОЙ ФАЗ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕСтатья опубликована в №17 (январь) 2015 Разделы: Размещена 11.01.2015. Последняя правка: 16.01.2015. доцент, заместитель декана УДК 621.315.592 Актуальность. В последние годы значительно возрос  интерес ученых к исследованиям структур с пониженной размерностью, которые способны проявлять ряд необычных свойств, не свойственных для исходного полупроводникового кристалла [1, 2]. Простейшими возможностями создания такого материала является анодная обработка в растворах кислот, приводящая к формированию пористого слоя [3]. Подобная модификация структурных параметров поверхности приводит к значительным изменениям физических и химических свойств исходного материала. Достигнутый в последние годы прогресс в изучении свойств por-Si стимулировал аналогичные исследования для полупроводников группы А [4]. Особый интерес ученых направлен в сторону полупроводника фосфида индия (InP), поскольку энергетические параметры его монокристаллической фазы  очень близки к параметрам монокристаллического кремния, и на основе его легко изготавливать приборы интегральной оптоэлектроники совместимые с кремнием, в частности, резистивные оптопары. Травление фосфида индия в кислых средах входит в арсенал методов современной нанотехнологии [5]. Пористый InP обладает различными физико-химическими свойствами: фото - и электролюминесценцией, адсорбционной чувствительностью, свойствами фотонных кристаллов и др. Целью данного исследования является установление возможных областей применения фосфида индия, в частности монокристаллов InP и его пористой фазы por-InP. Изложение основного материала. Фосфид индия является одним из важнейших полупроводников, благодаря сочетанию в себе ряда свойств [6, 7]: большая ширина запрещенной зоны (1,34 эВ); благоприятные теплофизические характеристики (температурный коэффициент  линейного расширения 4,75.10 ; теплопроводность 67,2 Вт/(мхК)); прямой характер межзонных переходов. Подобные свойства обуславливают различные области применения фосфида индия. В первую очередь необходимо отметить перспективность в отраслях оптоэлектроники и СВЧ-технике.

На его основе изготавливают полевые транзисторы,  электронные осцилляторы, различные усилители.   Фосфид индия перспективен для создания быстродействующих интегральных схем малой энергоемкости. Все чаще InP применяют в качестве подложек для создания гетеропереходов на его основе. Это позволяет использовать его как материал для волоконно-оптических линий связи, а также  эффективных излучателей и приемников электромагнитного излучения для спектральной области. На основе фосфида индия уже сегодня создаются эффективные источники излучения, такие как инжекционные лазеры и светодиоды, излучающие в зеленой и голубой областях спектра, быстродействующие фотоприемники. InP является многообещающим материалом для разработки сверхбыстрых интегральных схем.

На сегодняшний день InP является наиболее вероятным материалом для производства интегральных схем. Фосфид индия рассматривается учеными как возможная замена кремнию при создании солнечных элементов благодаря большой ширине запрещенной зоны и прямому характеру межзонных переходов. Электрохимическая обработка монокристаллов InP позволяет формировать объекты нанометрового размера (от нульмерных до фотонных кристаллов). Пористый InP обладает различными физико-химическими свойствами: - фото - и электролюминесценцией, значительной адсорбционной чувствительностью, свойствами фотонных кристаллов и др. Пористую фазу фосфида индия по праву причисляют к метаматериалам (сверхматериалам), благодаря наличию у нее уникальных свойств, которыми не обладал исходный кристалл. Удельная площадь пористой поверхности может в тысячи раз превосходить монокристаллическую.

При правильном подборе режимов электрохимической обработки пористость кристалла может достигать 80%. Перечисленные и другие свойства пористого фосфида индия обуславливают различные области его применения (табл. 1) [4, 6].         Таблица 1. Перспективы применения пористого фосфида индия В качестве примера использования фосфида индия приведем получение на его поверхности наноразмерных структур различной модификации и морфологии поверхности.   Для эксперимента нами были использованы монокристаллические образцы блочного InP, выращенного методом Чохральского с кристаллографической ориентацией (111), (100) и концентрацией носителей заряда 2,3х10 .   Низкоразмерные структуры формировались методом электрохимического травления. В качестве электролита использовали растворы кислот (НF, HCl, HBr) в различных концентрациях. Плотность тока выбиралась в широком диапазоне от 30 до 270 мА/см , время травления - от 2 до 60 мин.   В результате эксперимента на поверхности фосфида индия были сформированы различные типы наноструктур. В зависимости от условий анодирования и выходных характеристик кристалла структуры представляли собой следующие классы: пористые слои, сверхрешетки, текстурированные поверхности, нанокластеры (островки оксидов) и нольмерные структуры (по типу квантовых точек).

Факторы, наиболее влияющие на тип структуры следующие: состав и концентрация электролита, плотность тока, время анодирования, освещения образцов и обработка магнитным полем. Кроме того, принципиальным является тип проводимости кристалла, ориентация поверхности, структурное совершенство. Различная комбинация этих условий дает многообразие низкоразмерных структур, которые могут быть сформированы на поверхности фосфида индия. Табл. 2 демонстрирует типы структур и некоторые их особенности. http://storage2.static. itmages.

ru/i/15/0116/h_1421425233_9875115_2acdc9e0e8.jpg Рис. 1. Морфология пористого фосфида индия: а) (111) ориентированный кристалл; б) кристалл с ориентацией поверхности (100) http://storage2.static. itmages.

ru/i/15/0116/h_1421425233_8243953_7b193796ac. jpg Рис. 2. Текстурированная поверхность фосфида индия    http://storage2.static. itmages. ru/i/15/0116/h_1421425233_4919662_c241e18330.jpg Рис. 3. Сверхрешетка por-InP/InP  http://storage4.static.

itmages. ru/i/15/0116/h_1421425235_8695623_184e520203.jpg Рис.4. Нанокластеры оксидов на поверхности фосфида индия    http://storage3.static. itmages. ru/i/15/0116/h_1421425234_2656520_e3b08348cb. jpg Рис.5. Нольмерные структуры на поверхности фосфида индия Выводы. Таким образом, фосфид индия является одним из ключевых материалов современной электроники, а его пористая фаза приобретает все большую популярность среди ученых и исследователей благодаря его необычным свойствам. Следует отметить, что на данный момент не все свойства por-InP изучены, развитие этого направления раскрывает все новые перспективы его применения.

1. Лукашин А. В. Физические методы синтеза наноматериалов Методические материалы. – М.: МГУ, 2007. – 32 с. 2. Notten P. H.L., J. E.A. M. van den Meerakker, Kelly J. J. Etching of III-V Semiconductors: An Electrochemical Approach // Elsevier Advanced Technology: Oxford. – 1991.

– 349 p. 3. Simkiene I. Sabataityte J., Kindurys A., Treideris M. Formation of Porous n-A3B5 Compounds // Acta Physica Polonica A. – 2008. – 113(3). – р. 1085 – 1090. 4. Сычикова Я. А., Кидалов В. В., Сукач Г. А. Формирование пористой структуры фосфида индия с заданными свойствами: монография. – Донецк: Юго-Восток, 2010. — 230 с. 5. Сичікова Я. О. Кідалов В. В., Балан О. С., Сукач Г. О. Тестурування поверхні фосфіду індію // Журнал нано - і електроної фізики. – 2010, №1. – С. 84 – 88. 6. Третяк О. В., Лозовський В. З. Основи фізики напівпровідників: підручник.

– К., 2009. — 383 с. 7. Батенков В. А. Электрохимия полупроводников: учеб. пособие [2-е изд., допол.]. – Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. – 162 с. 8. Пат. 50341 Україна, МПК(2006): G01N 27/00. Спосіб отримання нанопоруватого шару фосфіду індію шляхом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти / Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Сукач Г. О.; заявник та патентовласник Сичікова Я. О. – № a200911298; заявл. 06.11.2009; опубл.

10.06.2010, Бюл. № 11/2010. 9. Suchikova Y. A., Kidalov V. V., Sukach G. A. Morphology of porous n-InP (100) obtained by electrochemical etching in HCl solution // Functional Materials. – 2010. – Vol.17, №1. – P. 1 – 4. 10. Сичікова Я. О., Кідалов В. В., Балан О. С., Сукач Г. О. Тестурування поверхні фосфіду індію // Журнал нано - і електроної фізики. – 2010, №1. – С. 84 – 88. 11. Сичікова Я. О. Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління // Фізична інженерія поверхні. – 2011. – т.9, №1. – С. 60 – 62. 12. Сичікова Я. О., Сукач Г. О. Дослідження оксидних кристалітів на поверхні поруватого фосфіду індію // Актуальні проблеми хімії та фізики поверхні: Всеукраїнська конференція з міжнародною участю, присвячена 25-річчю Інституту хімії поверхні ім. О. О.Чуйка НАН України, - Київ.

- 11-13 травня 2011 р. – К.:тези доп. - С. 49 – 50. 13. Сычикова Я. А., Кидалов В. В. Наноструктуры на основе пористого фосфида индия // Магнитные Материалы. Новые Технологии: тезисы докладов IV Байкальской международной конференции (Россия, Иркутск, 14 – 16 июня 2010 г.). – Иркутск: Изд-во Иркутского национального педагогического университета, 2010. - С. 127 – 128. Рецензии: 12.01.2015, 9:32 Рецензия : Статья посвящена актуальной теме: расширению номенклатуры полупроводниковых материалов для применения в электронике наряду с кремнием и германием. Приведен краткий обзор свойств фосфида индия и его пористой модификации. Перспективы применения пористого фосфида индия для формирования различных структур электронных микроприборов сведены в таблицу. Однако не приведены результаты или собственных исследований, или ссылки на публикации с конкретными примерами. Кроме голословных утверждений в третьем столбце таблицы никаких конкретных данных об получении наноструктур фосфида индия, его характеристиках и возможностях построения конкретных устройств, приборов не приводится.

Выводы. 1. Статья не может быть отнесена в раздел нанотехнологии. Возможно в раздел Электроника (материалы, технологии). 2. Для поддержания определенного уровня публикаций журнала в представленном виде без существенной доработки статья не рекомендуется для публикации. 3. В случае существенной доработки и повторного представления необходимо дополнительное рецензирование.

Комментарии пользователей:

Видео дня:


Комментарии (0) Просмотры: 116
Реклама
Реклама
Реклама